Actualizado: 16:23 CET
Jueves, 21/11/2019

Granada

Desarrollan la celda de memoria más pequeña del mundo en Granada

Las memorias DRAM se encuentran en todo tipo de aparatos electrónicos, desde grandes servidores de datos y ordenadores personales, hasta dispositivos portátiles

  • Memoria DRAM,

Investigadores de la Universidad de Granada y científicos de IBM Research en Zurich (Suiza) han desarrollado la celda de Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio (DRAM) más pequeña jamás construida usando materiales alternativos al silicio, cincuenta años después de su invención.

Las memorias DRAM se encuentran en todo tipo de aparatos electrónicos, desde grandes servidores de datos y ordenadores personales, hasta dispositivos portátiles, como tablets y smartphones y consolas de videojuegos.

Estas nuevas celdas DRAM presentan un consumo de energía potencialmente bajo y área pequeña sin precedentes. Por lo tanto, son particularmente atractivas para la implementación en dispositivos móviles o como memoria caché en microprocesadores, según detallan desde la Universidad de Granada.

Las celdas de memoria DRAM consisten en un transistor Mosfet y un condensador. A su inventor, el científico de IBM Robert Dennard, se le ocurrió la idea de almacenar información en forma de carga eléctrica en un condensador controlado por un transistor a mediados de la década de 1960.

Los diferentes niveles de corriente asociados con la cantidad de carga almacenada en el condensador servirían para codificar los estados lógicos binarios 0 y 1. El condensador debe ser lo suficientemente grande como para almacenar una cantidad medible de carga. Por otro lado, la necesidad de una mayor densidad de almacenamiento por área de silicio limita el crecimiento a lo largo de las dimensiones laterales.

En el artículo, publicado en Nature Electronics, los investigadores de la UGR demuestran la celda de memoria DRAM sin condensador más pequeña jamás construida con una longitud de puerta física de sólo 14 nanómetros.


Los transistores fabricados en IBM ResearchZurichLab utilizando el material III-V InGaAs fueron caracterizados eléctricamente por los investigadores de la Universidad de Granada, en el Laboratorio de Nanoelectrónica, Grafeno y Materiales Bidimensionales del CITIC-UGR, uno de los cuatro laboratorios singulares existentes en la UGR.

La celda fabricada es una celda DRAM de un solo transistor y sin condensador, que utiliza el cuerpo del transistor para almacenar temporalmente la carga eléctrica.

La inyección y extracción de la carga eléctrica del cuerpo del transistor permite la modulación del comportamiento electrostático del transistor, lo que conduce a los dos niveles de corriente diferentes que representan a los niveles lógicos 0 y 1.

Los materiales III-V, como InGaAs, ofrecen la ventaja potencial de operar a voltajes significativamente más bajos. Esto, a su vez, se traduce en un consumo de energía potencialmente mucho menor.

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